产品世界
产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业
VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任
硅碳化硅
2020-01-14T03:01:17+00:00
碳化硅(SiC)的前世今生！ 知乎
2021年3月13日 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于22eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三 2021年8月16日 1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的升高而降低，可以降低能量损耗；3、能在更高的温度下运行，同时冷却 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎2021年7月23日 在量子光学领域，碳化硅材料中具有符合DiVincenzo判据的色心光源，可以为制造量子通信系统、量子计算机提供物理原理和技术操控上可行的“飞行量子比特”， 硅基碳化硅异质集成：新型光子平台澎湃号湃客澎湃新闻
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料等环节。 1、Si C粉体：按一定配比将高纯硅粉和高纯碳粉混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎 2021年7月3日 碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳 2020年3月16日 近20 多年来，以碳化硅(silicon carbide，SiC) 为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC 材料具有3 倍于硅材料的禁带宽度，10 倍于硅 材料的临界击 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅性能优势显著、用途广泛 半导体产业发展至今经历了3个阶段，代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用；而以碳化硅为代 2022年12月26日 图1：硅、碳化硅 ，氮化镓三种材料关键特性对比 由于具有以上优异的特性，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET正越来越多的被应用于工业领域，且将被更大规模的应用。图2是IHS Markit给出的这两种功率 工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？ 知乎2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
SiC和GaN的一些技术对比：竞争还是互补？ 知乎
2022年10月29日 硅、碳化硅，氮化镓三种材料关键特性对比 图片来源：英飞凌 对于射频和开关电源设备而言，显然SiC和GaN两种材料的性能都优于单质硅的，他们的高临界场允许这些器件能在更高的电压和更低的漏电流 2021年9月27日 碳化硅（Silicon carbide），化学式为SiC，分子量401。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。结构={组元，组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质，组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而 3C/4H/6H碳化硅单晶的多型 知乎2021年7月3日 01 碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ 知乎
2020年2月22日 最近很火的特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块，对比硅基的IGBT续航可以提升5~10%。 3、两者对比 从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED、射频。2021年3月11日 碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。碳化硅（SiC）功率器件在电动汽车领域一决胜负及优缺点 知乎2020年6月10日 产生硅蒸气所用的硅粉颗粒尺寸为0991~4699mm。在大气压力下硅化时，硅粉可装在石墨坩埚里。在真空下硅化时，则应装在氮化硼(BN)坩埚里，因为此时硅会渗入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩埚破裂，而氮化硼与硅不润湿。碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
第三代半导体深度研究 碳化硅 知乎
2023年8月11日 上游衬底是碳化硅产业链最关键的环节，高品质碳化硅衬底的生产成本较高，目前6寸碳化硅衬底的价格在6500元7000元人民币左右，导致第三代半导体推进速度很慢。随着规模化，不良率的提升、大尺寸化，2025年左右有望将达到硅基器件的2倍左右。2022年12月29日 因此，相比于硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 有更低的开关损耗和更高性能的体二极管，从而实现更快的开关频率。 碳化硅器件可以在更高的温度下运行，可达到 200℃ 或更高。然而，封装技术限制了最高工作温度。为了使碳化硅运行在高温度，许多新封装技术 SiC还是IGBT，新能源汽车如何选？ 知乎专栏2019年10月9日 由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ 知乎
2022年4月28日 我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大 2021年7月21日 碳化硅性能优势显著、用途广泛 半导体产业发展至今经历了3个阶段，代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用；而以碳化硅为代表的第三代半导体材料，相较前两代产品性能优势显著。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金 2022年12月25日 看了不少paper说用碳化硅MOSFET代替IGBT ，原因都大致理解了，但是我比较外行，所以对材料的原理不是特别 为了提高硅基器件的耐压，所以才设计了IGBT 这种器件。SiC是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄，而现在SiC的 为什么不用sic做igbt? 知乎
碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC你分得清吗？ 知乎
2022年1月7日 辊道窑上的反应烧结碳化硅陶瓷辊 工艺简介： 采用一定颗粒级配的碳化硅（一般为1~10μm）与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅反应，部分硅与碳反应生成SiC与原来坯体中的SiC结合，达到烧结目的。 渗硅的方法有2种，一种是温度达到硅的熔融 2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 梁上尘 梁上尘土 在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代： 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎2020年9月25日 氮化硅陶瓷简介： 氮化硅陶瓷是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应(反应方程式：Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3(沉淀)+4NH4F），抗腐蚀能力强，高温时抗氧化。而且它还能抵简析：氮化硅和碳化硅陶瓷的区别 知乎
碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有什么优势？ 知乎
2022年10月25日 先说说碳化硅(SiC)的优势。首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。2021年11月4日 在碳化硅MOS芯片生产端，产业链和普通芯片产业链相近，目前成本较高主要是因为晶圆无法做到太大，成本相较于传统硅基芯片仍然较高（制造成本大概是IGBT芯片的3倍）。 在电动车产业链中，已有一家专注电控系统，且主要产品均为碳化硅MOS功率模 碳化硅（SiC）属于新能源车的能源革命？ 知乎2021年9月8日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎
中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 2023年4月17日 耐高压。碳化硅的击穿电场强度是硅的 10 倍，能够耐受更高的电压，更适用于高 电压器件。 耐高频。碳化硅具有 2 倍于硅的饱和电子漂移速率，导致其器件在关断过程中不 存在电流拖尾现象，能有效提高 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网2020年11月25日 碳化硅（SiC）芯片载流能力低，成本过高，同等级别的SiC MOSFET芯片，其成本是硅基IGBT的812倍。中国的碳化硅（SiC ）发展现状 随着我国电动汽车行业的快速发展以及国内电控系统产业链的逐 让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况
碳基半导体材料与碳化硅分不清？区别太大电子工程专辑
2020年6月22日 碳化硅的主要应用领域不是芯片 现在芯片使用高纯度硅制造的，碳基半导体芯片是用碳制造的，而碳化硅则是属于碳与硅的化合物，在属性上区别很大。 虽然碳化硅也是一种半导体材料，不过，SiC的主要应用方向是在功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金 2023年4月10日 一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材碳化硅介绍 知乎2 天之前 相比传统的硅开关(如IGBT和MOSFET)而言,碳化硅(SiC)功率MOSFET具有一系列优势。 2000 V、1700 V、1200 V和650 V CoolSiC™ MOSFET产品适用于光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动器、UPS、辅助电源和开关电源等应用。sic 碳化硅mosfet英飞凌(infineon)官网 Infineon Technologies
碳化硅功率器件之一 知乎
2021年8月24日 碳化硅材料带隙较宽，约为硅的3倍，因此碳化硅功率器件即使在高温下也可以稳定工作。 对于主流的大功率混合动力汽车，一般包含两套水冷系统，一套是引擎冷却系统，冷却温度约为105℃，另一套是电力电子设备的冷却系统，冷却温度约为70℃。2019年1月10日 一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起上世纪五十年代以来，以硅（Si）材料为代表的代半导体材料取代了笨重的电子管引发了集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。然而，由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC：技术和市场 知乎2023年9月25日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。碳化硅百度百科
蓝宝石、硅、碳化硅衬底材料比较 豆丁网
2012年3月10日 蓝宝石、硅、碳化硅衬底材料比较doc 蓝宝石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED衬底材料的选用比较通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。 蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性 2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎2021年7月23日 当前多种材料被发展，如铌酸锂(LiNbO₃) 、磷化铟(InP) 、氮化硅(Si₃N₄) 、碳化硅(SiC) 等。 表1对比了Si、LiNbO₃、Si₃N₄和SiC的相关光子学性能，其中SiC几乎符合上述所有的光子学特性，因此SiC被认为是一个极具潜力的新型光子平台。硅基碳化硅异质集成：新型光子平台澎湃号湃客澎湃新闻
“拯救”SiC的几大新技术腾讯新闻
2021年12月2日 基于上述特性，碳化硅器件相比于硅基器件优势也更加明显，具体体现在： （1）阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率； （2）频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍，而且效率 2023年1月11日 因为本质上，碳化硅、氮化镓是新型的衬底材料，芯片的工艺原理和器件结构与硅芯片基本一致，只是材料不同会导致一些特殊性能和特殊工艺的 芯趋势丨碳化硅扩产如火如荼，国内生态链疾进 新浪财经2021年7月21日 碳化硅性能优势显著、用途广泛 半导体产业发展至今经历了3个阶段，代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用；而以碳化硅为代表的第三代半导体材料，相较前两代产品性能优势显著。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
碳化硅 SiC 知乎
2023年1月2日 根据电阻率的不同，碳化硅衬底可以分为半绝缘型和导电型衬底，分别适用于不同的应用场景： 导电型衬底：主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化 硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类 2022年5月16日 氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料是一种特殊的碳化硅制品，20世纪70年代被广泛应用于磨具磨料以及电陶瓷行业，上世纪80年代我国将该材料进行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，当柱状的氮化硅穿插在碳化硅颗粒之间并发生烧结，产生的增韧和强化作用远远优于单一材料性能。一文了解，氮化硅结合碳化硅制品 知乎2022年10月31日 碳化硅行业主要上市公司：目前国内碳化硅行业的上市公司主要有沪硅产业(SH)、天岳先进(SH)、有研新材(SH)和中晶科技(SZ)等; 本文核心数据：碳化硅行业发展历程、发展现状、竞争格局、发展趋势行业概况1、 材料定义 预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》（附市场
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC） 知乎
2023年3月22日 它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。 禁带：是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，GaN 的禁带宽度为 34eV，是硅的 3 倍多，所以说 GaN 拥有宽禁带特性（WBG）。 禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。 GaN 比传统硅材料更大 2020年3月16日 近20 多年来，以碳化硅(silicon carbide，SiC) 为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC 材料具有3 倍于硅材料的禁带宽度，10 倍于硅 材料的临界击穿电场强度，3 倍于硅材料的热导率，因此SiC 功率器件适合于高频、高压、高温等应用碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE2022年12月26日 图1：硅、碳化硅 ，氮化镓三种材料关键特性对比 由于具有以上优异的特性，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET正越来越多的被应用于工业领域，且将被更大规模的应用。图2是IHS Markit给出的这两种功率 工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？ 知乎
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新2022年10月29日 硅、碳化硅，氮化镓三种材料关键特性对比 图片来源：英飞凌 对于射频和开关电源设备而言，显然SiC和GaN两种材料的性能都优于单质硅的，他们的高临界场允许这些器件能在更高的电压和更低的漏电流 SiC和GaN的一些技术对比：竞争还是互补？ 知乎2021年9月27日 碳化硅（Silicon carbide），化学式为SiC，分子量401。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。结构={组元，组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质，组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而 3C/4H/6H碳化硅单晶的多型 知乎
揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
2021年7月3日 01 碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体 2020年2月22日 最近很火的特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块，对比硅基的IGBT续航可以提升5~10%。 3、两者对比 从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED、射频。第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ 知乎2021年3月11日 碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。碳化硅（SiC）功率器件在电动汽车领域一决胜负及优缺点 知乎
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 产生硅蒸气所用的硅粉颗粒尺寸为0991~4699mm。在大气压力下硅化时，硅粉可装在石墨坩埚里。在真空下硅化时，则应装在氮化硼(BN)坩埚里，因为此时硅会渗入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩埚破裂，而氮化硼与硅不润湿。2022年12月29日 因此，相比于硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 有更低的开关损耗和更高性能的体二极管，从而实现更快的开关频率。 碳化硅器件可以在更高的温度下运行，可达到 200℃ 或更高。然而，封装技术限制了最高工作温度。为了使碳化硅运行在高温度，许多新封装技术 SiC还是IGBT，新能源汽车如何选？ 知乎专栏2022年4月28日 我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别 硅IGBT与碳化硅MOSFET 多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ 知乎
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